다양한 전자소자의 성능향상 및 제작비용 절감 가능

한양대 에너지공학과 장재영 교수팀이 최근 유기 반도체의 분자도핑 반응 원리와 이를 제어하는 기술을 개발했다고, 한양대가 11일 밝혔다. 

해당 기술은 에너지 하베스팅 소자, 유기발광다이오드(OLED), 유기트랜지스터 등 다양한 전자소자의 성능을 향상시키고, 제조공정도 단순화 시킬 수 있어 제작비용 절감이 가능할 것으로 기대된다.

탄소 기반 분자로 구성된 유기반도체는 구부리거나 늘일 수 있어 OLED를 비롯한 유기 전자소자의 핵심 소재로 연구되고 있다. 특히 유기반도체의 전기적·광학적 특성을 제어하고자 분자 형태의 첨가제를 혼합하는 ‘분자도핑(molecular doping)’ 기술은 과학자들의 많은 관심을 받고 있다.

다양한 첨가제 중 최근 연구가 집중되는 물질은 ‘tris(pentafluorophenyl) borane(이하 BCF)’다. 해당 첨가제는 루이스(Lewis) 산의 특성과 물과 반응 시 나타나는 브뢴스테드(Brønsted) 산의 특성을 이용해 서로 다른 두 가지 형태의 도핑 반응을 일으킨다. 

예를 들어 BCF분자 내의 붕소(B)는 유기반도체를 구성하는 질소(N), 산소(O) 등의 원자가 지닌 비공유 전자쌍과 루이스 산-염기 반응을 일으키며, 이를 루이스 산 도핑이라 한다. 반면 물과 반응한 BCF는 양성자(H+)를 유기반도체에 전달하는 반응을 일으키며 이를 브뢴스테드 산 도핑이라 한다.

이처럼 BCF가 지닌 독특하고 복잡한 반응은 외부 환경과 유기 반도체의 구조 등 다양한 요소의 영향을 받지만 아직 이러한 복잡한 반응을 제어하기 위한 연구에 큰 진척이 없었다. 

장 교수팀은 화학적 구조가 비슷하지만 루이스 염기성이 다른 두 유기반도체를 활용해 BCF 도핑 반응을 분석했고, 이를 열전소자에 적용했다. 그 결과 루이스 산 도핑이 브뢴스테드 산 도핑을 억제했고 유기반도체의 평평한 골격을 구부리고 결정구조를 무너뜨리는 등 반도체 내 전하이동을 크게 저해하는 것을 확인했다.

이어 연구진은 루이스 산과 브뢴스테드 산 특성으로 인해 나타나는 두 도핑 반응의 결합 세기가 다르다는 점에 착안, 섭씨 120도의 온도에서 BCF로 도핑한 유기반도체 필름을 열처리해 브뢴스테드 산의 도핑만 선택적으로 일으킬 수 있는 기술을 제시했다.

이번 연구의 의의는 분자도핑 제어 기술을 활용해 유기 열전소자의 성능을 향상시킬 뿐 아니라 다른 전자소자에도 확장 적용할 수 있다는데 있다.

장 교수는 “이번 연구를 활용해 분자도핑을 적절히 제어할 경우 유기반도체의 전하이동 특성을 극대화할 수 있고, 특히 아직 낮은 수준에 머물러있는 웨어러블 전자소자의 성능을 향상시킬 핵심기술로 활용할 수 있다”고 말했다.

과학기술정보통신부의 재원(중견연구자지원사업, 선도연구센터지원사업, 나노및소재기술개발사업)으로 한국연구재단의 지원을 받아 수행된 이번 연구는 재료과학 분야 세계적 권위지인 「Advanced Functional Materials」 10일자에 게재됐으며, 표지논문으로도 선정됐다. 

 

장재영 교수
장재영 교수
어드밴스드 펑셔널 머터리얼스 11월호 표지(Back cover)
어드밴스드 펑셔널 머터리얼스 11월호 표지(Back cover)
장재영 교수팀이 개발한 도핑 기술 및 열전 특성 변화
장재영 교수팀이 개발한 도핑 기술 및 열전 특성 변화

 

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