汉阳大学ERICA纳米光电子系沈钟仁、申东洙教授组、ZOGAN Semi柳雄烈博士、韩国光技术院光半导体显示器研究本部白钟协博士组7日表示，开发出了克服超微Micro LED光效率及耐久性难题的技术。

通过此次研究，研究小组同时解决了开发超高分辨率Micro LED显示屏的最大难题：20μm以下超微细氮化物半导体LED芯片产生的低功率转换效率和随着驱动时间的增加性能大幅下降的耐久性问题。

研究小组引入了非接触式光致发光及拉曼光谱学分析技术，查明了Micro LED芯片的技术问题是由于蚀刻壁面产生的缺陷电荷与外延层压力的相互作用造成的。在本研究中，通过在氮化物半导体上生长氧化物半导体，可以控制外延层应变，使其与对工艺或动作条件敏感的蚀刻壁面上的缺陷电荷量无关。

开发直径20μm, 10μm大小的蓝色Micro LED是水平芯片单一封装，在认证试验院测量的外量子效率（EQE）分别高达53%和45%，即使在1A/cm2低电流领域也超过35%，显示出了世界最高的品质。（图1）。此外，在无隔热板（100A/cm2，20小时以上）的加速耐久性试验中，也确认了无性能变化的优异稳定性。（图2）。

沈钟仁教授表示：“此次开发的技术不仅重新确立了作为新一代显示屏核心半导体元件备受关注的Micro LED的工作原理，而且通过实际制作证实了世界最高水平的性能，我认为这将为确保国内显示屏产业的国际竞争力做出巨大贡献。”

本研究是在产业通商资源部国家标准技术能力提升项目、光融复合产业全球竞争力强化项目及超大型模块化显示屏技术开发项目的支持下进行的。