5월 22일 자 「확 빨라진 AI칩 시대…‘D램 신화 주인공’에 HBM 탈환 특명」 기사

5월 22일 자 <중앙일보>는 삼성전자 반도체 부문에 새롭게 부임한 전영현(전자공학과) 동문과 인터뷰를 진행했다. 전 동문은 한양대 전자공학과 졸업 이후 LG반도체에서 D램 메모리를 개발하다가, 삼성전자로 옮겨와 개발실장, 메모리사업부장 등을 거쳤다.

전 동문이 메모리사업부장을 맡았을 당시 삼성전자는 세계 최초 20나노, 18나노 D램 양산에 연달아 성공하며 경쟁사와의 기술 격차를 2년가량으로 유지했다. 전 동문의 구원 등판은 두 번째다. 삼성SDI가 갤럭시노트7 배터리 화재 사고로 위기를 겪던 2017년 신임 대표이사로 취임해, 품질 개선뿐만 아니라 주력 사업을 스마트폰용 중소형 배터리에서 전기차·대형저장장치 등으로 전환했다.

삼성전자 전직 임원 중 한 명은 전 동문을 “기술에 대한 집요함”이 있다고 평했다. 전 동문의 부임이 불확실한 환경 아래 경쟁력을 강화하기 위한 선제적 조치가 될 수 있을지 행보가 주목된다.

 

키워드

'한양위키' 키워드 보기 #전영현 #전자공학과
저작권자 © 뉴스H 무단전재 및 재배포 금지